静压下（CdSe）m／（ZnSe）n—ZnSe超短周期超晶格量子阱的共振…
Keywords: 量子阱喇曼散射光致发光静压半导体硒化锌
Abstract:
在静压和液氮温度下观察到（ＣｄＳｅ）ｍ／（ＺｎＳｅ）ｎ短周期超晶格中重空穴激子的复合发光和多达４阶的类ＺｎＳｅＬＯ多声子喇曼散射，并观察到厚ＺｎＳｅ势垒层的带边发光和限制在厚势垒层中的类ＺｎＳｅＬＯ声子散射。结果表明，加压后（ＣｄＳｅ）ｍ／（ＺｎＳｅ）ｎ短周期超晶格中的类ＺｎＳｅ的１ＬＯ和２ＬＯ声子模频率分别以３．７６和７．１１ｃｍ＾－１／ＧＰａ的速率向高频方向移动，超晶格阱层光致发光峰的压力系数
| [1] | Hwang S J，Appl Phys Lett B，1994年，64卷，2267页
|
| [2] | 汪兆平，In Growth,Processing and Characterization of Semiconductor Hetrostructures，1994年
|
| [3] | 李国华，半导体学报，1993年，14卷，199页
|
| [4] | Shan W，Appl Phys Lett，1992年，60卷，736页
|
| [5] | 彭中灵，Jpn J Appl Phys，1992年，31卷，L1583页
|
| [6] | Cui L J，Phys Rev B，1991年，44卷，10949页
|
| [7] | Mei J R，Solid State Commun，1984年，52卷，785页
|
Full-Text
