用光电压光谱法测定磷砷镓铟室温禁带宽度

光电压光谱法基于半导体材料的光生伏特效应。当单色光照射到半导体样品的表面或界面势垒区时,如果光子能量hv大于材料的禁带宽度E_g,光子就能激发出电子一空穴对;在势垒区空间电荷电场作用下,这些电子与空穴被置于势垒两侧,从而在被测样品的受光面和非受光面之间形成一定的电位差。当入射光光子能量hv小于材料的禁带宽度E_g时,就不