用喇曼光谱术研究注硼硅片的损伤分布

实验用的原始单晶硅片取向[111],电阻率约10Ω-cm,在室温下以7°倾角注B~,离子束流10μA,能量60keV,注入剂量7×10~(15)cm~(-2)。每块样品一半为离子注入区,一半为非注入单晶区。把每块样品各在乙二醇硝酸盐水的溶液中阳极氧化不同时间,长出不同厚度的二氧化硅层,并用椭圆偏振仪测出二氧化硅膜厚度,然后用氢氟酸除去二氧化硅膜,乘