用脉冲恢复技术测量HgCdTe二极管基区少数载流子寿命

脉冲恢复技术是一种利用PN结器件特性来确定载流子寿命的方法,最早用于Si器件。当二极管处于正向偏置时,正向电流I_F主要是注入到基区的少数载流子。当正向偏置跃变为反向偏置时,可以观察到一个由两部分组成的电流瞬变。第一部分是一个延续时间为t_s(称存贮时间)的恒定反向电流I_R,在这段时间内结电压仍然是正的,且基本保持不变,