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ISSN: 2333-9721
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红外与毫米波学报 1992

Hg1—xCdxTeN^＋—P栅控二极管表面沟道漏电的理论和实验研究

Keywords: 光电二极管表面效应漏电汞镉碲

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Abstract:

制备了HgCdTe离子注入N~+-P栅控二极管.测量结果表明,由P区一侧表面强反型引起的表面沟道漏电严重限制着器件性能,对这种漏电机制进行了详细的理论分析.在考虑了窄禁带HgCdTe的特殊性质后,计算了表面沟道电流决定的P-N结正、反向I-V特性和R_0A的温度特性,以及它们与表面状态的关系.理论与实验定性相符.

References

[1]	袁皓心，红外与毫米波学报，1990年，9卷，415页
[2]	袁皓心，1990年
[3]	袁皓心，红外与毫米波学报，1987年，6卷，1页
[4]	Chu M，Appl Phys Lett，1980年，37卷，2期，486页

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