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OALib Journal期刊
ISSN: 2333-9721
费用：99美元
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Inx—Ga1—xAs／GaAs应变量子阱光学性质
Keywords: 应变量子阱能带偏移砷化镓光谱
Abstract:
研究了用分子束外延方法生长在GaAs(100)衬底上的In_xGa_(1-x)As/GaAs(x=0.1)应变多量子阱样品,观察了其光荧光谱和光调制反射谱的光谱结构,讨论了有关基态光跃迁和激发态光跃迁性质.根据实验结果给出了能带偏移比值为Q_c=0.69(Q_v=1-Q_c=0.31),并提出有关轻空穴束缚于GaAs层而形成Ⅱ类超晶格的重要佐证.
| [1] | 潘士宏 冯巍.应变层InxCa1—xAs／GaAs量子阱的光调制反射谱研究[J].半导体学报,1992,13(6):343-350,.
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