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ISSN: 2333-9721
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红外与毫米波学报 1994

MOCVD—Hg1—xCdxTe／CdTe／GaAs外延材料红外吸收光谱研究

Keywords: 薄膜红外光谱碲镉汞红外材料

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Abstract:

从理论上完成对ＭＯＣＶＤ工艺生长的ＨｇＣｄＴＥ／ＣｄＴｅ／ＧａＡｓ材料的透过率、吸收边和相干行为的计算。结果表明光的干涉条纹与外延层ＨｇＣｄＴｅ和缓冲层ＣｄＴｅ的总厚度相关，其透过率不能直接反映材料的内在质量。计算结果还表明，外延材料组份的均匀性对红外光谱的吸收边有很大的影响。运用理论计算对实验中测得的光谱曲线进行了分析，发现ＭＯＣＶＤ工艺存在着一种部分过饱和态的生长机制，并发现负禁带ＨｇＴｅ薄膜

References

[1]	黄长河，博士学位论文，1989年
[2]	诸君浩，J Appl Phys，1992年，71卷，8期，3955页
[3]	诸君浩，Infrared Phys，1991年，32卷，195页
[4]	黄长河，Phys Status Solidi A，1990年，121卷，273页
[5]	黄长河，红外与毫米波学报，1990年，9卷，6期，441页
[6]	林永昌，光学薄膜原理，1990年
[7]	诸君浩，红外与毫米波学报，1983年，2卷，1期，25页
[8]	诸君浩，科学通报，1983年，7期，403页

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