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ISSN: 2333-9721
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InGaAsP单量子阱半导体微盘激光器研究

Keywords: 微盘激光器半导体激光器量子阱异质结铟镓磷

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Abstract:

利用普通的液相外延和微加工技术成功地制备了InGaAsP单量子陆微盘激光器,并从实验上观测到远低于普遍激光器阈值条件下的单模振荡,证实了微盘激光器中微盘很强的模式选择作用,反映了微盘的微腔特征。

References

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[3]  杨志坚 陈高庭.用LPE研制的室温连续工作的1.48μm单量子阱激光器[J].中国激光,1994,21(1):1-4,.

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