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OALib Journal期刊
ISSN: 2333-9721
费用：99美元
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MBECdTe／GaAs光致发光研究
Keywords: 分子束外延,光致发光,碲化镉
Abstract:
在１０Ｋ低温下对分子束外延（ＭＢＥ）生长的ＣｄＴｅ（１１１）Ｂ／ＧａＡｓ（１００）／ＣｄＴｅ（２１１）Ｂ／ＧａＡｓ（２１１）Ｂ外延膜进行了光致发光（ＰＬ）测量，得到了ＰＬ谱和带边激子辐射的精细结构．计算得到束缚激子的半峰宽（ＦＷＨＭ）分别为０．２～０．ｓｍｅＶ和１～２ｍｅＶ．实验结果表明外廷膜的质量和生长工艺均良好．
| [1] | Feng Z C，J Appl Phys，1988年，64卷，2595页
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| [2] | Feng Z C，J Lumin，1986年，35卷，329页
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