异质结InP/InGaAs探测器欧姆接触温度特性研究

为了研究异质结InP/InGaAs探测器帽层的欧姆接触特性，采用Au/p-InP传输线模型(TLM)，对比不同退火温度下的接触特性，在480℃、30 s的退火条件下实现室温比接触电阻为3.84×10-4Ω·cm2，同时，对欧姆接触的温度特性进行了研究，发现随着温度降低比接触电阻增加，在240~353 K温度范围内界面电流传输主要为热电子 场发射机制（TFE）；240 K以下，接触呈现肖特基特性.利用扫描电子显微镜（SEM）和X射线衍射仪（XRD）分别对界面处的扩散程度和化学反应进行了分析，发现经过480℃、30 s退火后样品界面处存在剧烈的互扩散，反应产物Au10In3有利于改善Au/p-InP的接触性能