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红外与毫米波学报 2015
绝缘层上Si/应变Si1-xGex/Si异质结p-MOSFET电学特性二维数值分析Keywords: 应变Si1-xGex沟道 p-MOSFET 阈值电压 扭结 Abstract: 对绝缘层上Si/应变Si1-xGex/Si异质结p-MOSFET电学特性进行二维数值分析, 研究了该器件的阈值电压特性、转移特性、输出特性.模拟结果表明, 随着应变Si1-xGex沟道层中的Ge组分增大, 器件的阈值电压向正方向偏移, 转移特性增强; 当偏置条件一定时, 漏源电流的增长幅度随着Ge组分的增大而减小; 器件的输出特性呈现出较为明显的扭结现象
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