MBE原位碲化镉钝化的碲镉汞长波光电二极管列阵

采用分子束外延(MBE)技术在表面生长碲化镉(CdTe)介质膜的p型碲镉汞(HgCdTe)材料，并通过离子注入区的光刻、暴露HgCdTe表面的窗口腐蚀、注入阻挡层硫化锌(ZnS)的生长、形成p-n结的B注入、注入阻挡层的去除、绝缘介质膜ZnS的生长、金属化和铟柱列阵的制备等工艺，得到了原位CdTe钝化的n-on-p平面型HgCdTe红外光电二极管列阵.从温度为78K的电流与电压(I-v)和动态阻抗与电压(R-v)特性曲线中，发现原位CdTe钝化的光电二极管列阵的零偏动态阻抗比非原位CdTe钝化的提高了1～2倍，零偏压附近的反向偏压位置的动态阻抗极大值甚至提高了30～40倍.对于工作在反向小偏压附近的光电二极管列阵,原位CdTe钝化方法非常有利于提高长波光电二极管的探测性能.