表面处理工艺对于N型HgCdTe材料和光导器件的影响

报导了采用溴腐蚀和溴抛光两种表面处理工艺对于HgCdTe材料表面的影响，测试了材料的载流子浓度随迁移率分布曲线和迁移率变温曲线，将材料制成光导器件后测试了器件的电阻变温曲线，比较了溴腐蚀和溴抛光所得器件电阻变温曲线最大电阻值所对应的温度.上述实验均表明，采用溴腐蚀的材料，表面电子较多，电离杂质散射较为严重，所制得器件性能较差，而采用溴抛光的材料，表面电子较少，以晶格散射为主，所制得器件性能良好.