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ISSN: 2333-9721
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InAs自组织生长量子点的电子俘获势垒

Keywords: 量子点,DLTS,自组织生长,InAs／GaAs

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Abstract:

成功地用深能级瞬态谱（ＤＬＴＳ）研究了ＩｎＡｓ自组织生长的量子点电学性质，获得２．５原子层ＩｎＡｓ量子点电子基态能级在ＧａＡｓ导带底下约０．１３ｅＶ，该量子点在荷电状态发生变化时伴随有晶格弛豫，对应俘获势垒为０．３２ｅＶ．本工作也证明可以把量子点类比深中心进行研究．

 References

[1]  杨小平，半导体学报，1996年，17卷，869页

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