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ISSN: 2333-9721
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180元HgCdTe线列器件的冷屏效应与背景限性能

Keywords: HgCdTe线列器件,冷屏效应,背景限性能

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从理论上分析了180元HgCdTe线列器件的冷屏效应,计算了180元HgCdTe线列探测器每个光敏元所对应的平面视场角(FOV)及其在300K背景辐射下的背景限探测率,并将实际的180元HgCdTe线列探测器件每个光敏元的性能同理论进行了比较,结果表明180元长波红外HgCdTe线列探测器的性能已经接近室温背景的理论极限.

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