InSbMIS结构的磁电容谱研究
Keywords: 二维空穴气磁电容谱MIS器件红外器件
Abstract:
测量了ｎ型ＩｎＳｂ金属－绝缘体－半导体器件的磁量子电容谱，发现ｐ型沟道中二维空穴子带对磁场有很大的依赖关系，对这种依赖关系作出了定性的解释。
| [1] | 褚君浩，Solid State Electron，1994年，37卷，4/6期，1125页
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| [2] | 刘坤 褚君浩.P型Hg0.76Cd0.24Te的子能带结构[J].红外与毫米波学报,1994,13(3):199-205,.
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| [3] | 褚君浩，Phys Rev B，1990年，44卷，4期，17页
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| [4] | 刘坤 褚君浩.p—HgCdTe反型层中子能带电子的基态能量[J].物理学报,1994,43(2):267-273,.
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| [5] | 刘坤，15 Int Conf on the Applications of the High Magneitc Fields in Semicondutors，1995年
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| [6] | 刘坤，J Appl Phys，1994年，76卷，12期，7998页
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