量子点的湿法腐蚀制备及尺寸分布研究

介绍了用可见光光刻后用湿法腐蚀制备了ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ量子点的方法，并用小光点光荧光的方法检测了所制备量了点的均匀性，从理论上给出了量子点的尺寸分布，并结合多量子阱阱宽的涨落，分析了荧光峰的线型和展宽机制。