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红外与毫米波学报 2000
p＋-ZnSe：N单晶薄膜的MBE生长与特性研究Keywords: 氮掺杂源单晶薄膜硒化锌半导体 Abstract: 研制了石英质射频激励等离子体活性氮源,将此氮源安装到国产FW-Ⅲ型分子束外延设备上,成功地生长了p型ZnSe∶N优质单晶薄膜.SIMS测量表明,薄膜中氮浓度高达～1.5?1020cm-3;PL测量表明,氮在ZnSe中形成了受主能级;C-V测量表明,净空穴浓度[Na]-[Nd]≈5?1017cm-3,达到了制备原理性蓝绿色激光二极管的要求(～4.0?1017cm-3).C-V测量的结果同时得到远红外光谱法测量数据的佐证.
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