砷离子注入体材料碲汞的二次离子质谱分析

用二次离子质谱（ＳＩＭＳ）分析了低能注放（１５０ｋｅＶ）砷在体材料碲镉汞中的分布和注入砷原子在碲镉汞中的热扩散情况，砷在碲镉汞中的分布表现出复杂的多元扩散机制。在缺陷密度（ＥＰＤ）比较低的碲镉汞材料中，砷扩散的主体符合恒定扩散系数的有限源扩散模型，呈现出浓度随深度的高斯分布。而在缺陷密度比较大的碲镉汞材料中，砷的分布呈多段指数型分布，表面出更复杂的多机制扩散特性。