光激发LT—GaAs共面微带传输线THz色散与衰减特性

彩和半经验色散公式分析了ＬＴ－ＧａＡｓ衬底共面微带传输线的ＴＨｚ模式色散与切伦柯夫辐射损耗特性，同时计算了导体欧姆损耗和衬底介电损耗，结果表明，较小的横向尺寸有利于改善ＬＴ－ＧａＡｓ共面微带传输线模式色散和辐射损耗特性。较大的横向尺寸比可降低导体欧姆损耗。