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红外与毫米波学报 2000
立方相InCaN的稳态和瞬态我学特性研究Keywords: InCaN激光材料半导体稳态光学特性瞬态 Abstract: 用光荧光和时间分辨光谱技术研究了ＭＥＢ生长立方Ｉｎ１－ｘＧａ１－ｘＮ（ｘ＝０．１５０．２６）外延材料的稳态和瞬态发光特性。实验表明ＩｎＧａＮ发光主要来自局域激子发光，局域化是由合金无序造成的，相应局域化能量为６０ｍｅＶ左右。荧光衰退呈现双指数特性，快过程（５０ｐｓ，１２Ｋ）是自由激子的快速驰豫引起的，而慢过程（２００￣２７０ｐｓ，１２Ｋ）则对应局域激子发光，其荧光寿命随温度缓变反映了激子发光的强局
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