半绝缘GaAs的表面光伏谱研究

利用表面光伏法（ＳＰＶ）研究了半绝缘ＧａＡｓ（ＳＩ－ＧａＡｓ）的缺陷态，通过加直流光偏置测量了室温下带边以下的光伏响应，发现带隙内缺陷态的光伏向应主要是由于表面复合而在样品表面形成协流子浓度梯度引起的，通过实验表明ＳＰＶ是一种对ＳＩ－ＧａＡｓ晶片表面质量进行检测的非常灵敏的无损检测方法。