GaAs／AlGaAs多量子阱结构的光电流与电子干涉

在77K温度，测量了GaAs/AlGaAs多量子阱结构的光电流，观测到在v=1589cm^-1，即λ=6.29μm附近存在一个强电流峰，分析认为，该电流峰与多量子阱势垒以上的电子干涉有关。根据电子干涉理论计算出的电流峰位置与实验结果非常一致。