PbTe中红外光伏探测器研究

利用自主的分子束外延(MBE)技术在CdZnTe(111)基底上生长PbTe半导体探测器材料,通过在PbTe薄膜上沉积In2O3透明导电薄膜、ZnS绝缘保护层和In薄膜做电极,制成PbTe结型中红外光伏探测器．在77K温度下,器件响应波长为1.5～5.5μm,实验测量的探测率为2?1010cm?Hz1/2W-1,由R0A值计算的探测器峰值探测率达到4.35?1010cm?Hz1/2W-1．随着温度的升高,截止波长发生蓝移,探测率降低．分析了影响探测器探测率和R0A值的主要因素．