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红外与毫米波学报 2014
（英）CMOS毫米波低功耗超宽带共栅低噪声放大器Keywords: 毫米波,宽带,CMOS（互补金属氧化物半导体）,共栅,LNA（低噪声放大器）,集成电路（IC） Abstract: 本文陈述了一个基于单端共栅与共源共栅级联结构的超宽带低噪声放大器(LNA)。该LNA用标准90-nmRFCMOS工艺实现并具有如下特征：在28.5到39GHz频段内测得的平坦增益大于10dB；-3dB带宽从27到42GHz达到了15GHz,这几乎覆盖了整个Ka带；最小噪声系数(NF)为4.2dB,平均NF在27-42GHz频段内为5.1dB；S11在整个测试频段内小于-11dB。40GHz处输入三阶交调点(IIP3)的测试值为2dBm。整个电路的直流功耗为5.3mW。包括焊盘在内的芯片面积为0.58*0.48mm2。
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