毫米波单片有源混频器的研制
Keywords: 混频器 ,砷化镓 ,毫米波 ,变频增益 ,隔离度
Abstract:
采用OMMIC0.18μmGaAspHEMT工艺,研制了毫米波单片有源混频器.该混频器选用单栅极单端FET混频结构.在中频输出端设计了低通滤波器,以提高LO-IF、RF-IF的隔离度.芯片的尺寸仅为0.95mm×1.85mm.在射频频率为39GHz、输出中频频率为3GHz时,该混频器的变频增益为0.6dB,LO-IF隔离度大于55dB,RF-IF的隔离度大于30dB.
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