NROM存储器总剂量辐射损伤效应和退火特性

对一款商用NROM(Nitride-Read-Only-Memory)存储器进行了钴源辐射和退火试验，研究了NROM的总剂量效应和退火特性。使用了超大规模集成电路测试系统测试了NROM的DC、AC、功能参数，分析了辐射敏感参数在辐射和退火过程中的变化规律，研究了器件功能失效和参数退化的原因。测试结果表明：界面态陷阱电荷引起了电路模块中的电荷泵和灵敏放大器MOS管阈值漂移，进而性能恶化、器件功能失效。退火期间由于界面态陷阱电荷没有发生大量退火，致使电路模块性能没有完全恢复，电流参数没有明显下降。