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ISSN: 2333-9721
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一种新的阶跃恢复二极管建模方法及其在短脉冲产生电路中的应用

, PP. 173-176

Keywords: 半导体技术,窄脉冲,阶跃恢复二极管,建模,半导体技术,窄脉冲,阶跃恢复二极管,建模

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Abstract:

详细分析了阶跃恢复二极管(SRD)阶跃电压的产生过程和机理,提出了一种新的基于一个非线性电容和PN二极管并联的SRD模型。利用此模型对窄脉冲产生电路进行了仿真,分析了影响窄脉冲特性的主要因素,并从硬件上实现了窄脉冲仿真电路。经试验测试,脉冲宽度为230ps、幅度为3.3V时与仿真结果较吻合,验证了该模型的正确性。

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