3 He、 4 He与H 2 、D 2 、T 2 碰撞（E=0.5eV） 分波截面的理论研究
Keywords: 密耦方法,散射截面,TˉT势模型,同位素替代
Abstract:
用密耦近似（CloseˉCoupling）方法和TangˉToennies势模型计算了入射能量E=0.50eV情况下，氦原子的两种同位素（3He、4He）与H2及其同位素D2、T2替代碰撞体系的振转激发碰撞截面.通过分析各碰撞体系分波截面的差异，总结出在对称同位素替代情形下3He、4He与H2、D2、T2碰撞体系分波截面随量子数增加和体系约化质量的变化规律.结果表明，体系的约化质量变化给体系的碰撞截面带来不同程度的影响.
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