Sn掺杂In3O2半导体薄膜的制备及其性能研究

采用磁控溅射方法在玻璃基底上制备了Sn 掺杂In3O2(In3O2︰Sn) 半导体薄膜，通过XRD、XPS、四探针仪和分光光度计等测试表征，研究了生长速率对薄膜结构和光电性能的影响．结果表明：所制备的薄膜均具为(222)择优取向的立方锰铁矿结构，其结构参数和光电性能明显受到生长速率的影响．当生长速率为4 nm/min 时， In3O2薄膜具有最大的晶粒尺寸(32.5 nm) 、最高的可见光区平均透过率( 86.4 %) 和最大的优值因子( 7.9 × 10 4 Ω-1· m-1) ，其光电性能最好． 同时采用Tauc 公式计算了样品的光学带隙，结果表明: 光学带隙随着生长速率的增大而单调减小