硅基宽带双偏振单模狭缝波导

采用三维平面波法和三维有限时域差分法，研究了硅基单模狭缝波导的双偏振特性．通过调节狭缝波导中硅介质的宽度，获得了宽达320.6 nm 的双偏振带宽;并且发现在该带宽范围内，准TE模式的电场强度在狭缝中均具有增强效果，并且狭缝中光限制因子均大于60%．该研究结果可为设计其他与偏振相关的硅光子器件提供参考