ＧｅＣｌ４含氢杂质脱除工艺研究

制备光纤用ＧｅＣｌ４需要二项关键技术的支撑，分别是深度脱除ＧｅＣｌ４中的金属杂质和含氢杂质。深度脱除金属杂质，国内外厂家已有成熟的技术和工艺设备实现。深度脱除含氢杂质，则是整个光纤用ＧｅＣｌ４制备工艺的技术难题。目前，国内缺乏能生产高品质光纤用ＧｅＣｌ４的技术和厂家，绝大多数光纤用ＧｅＣｌ４产品依赖国外进口。因此，研究脱除ＧｅＣｌ４含氢杂质的工艺技术，对于我国锗产业打破国外技术封锁，提高经济效益和国际竞争力有着重要意义。以某厂高纯ＧｅＣｌ４为原料，选择蒸馏工艺进行试验，对ＧｅＣｌ４中含氢杂质的去除工艺技术进行研究，为制备高品质光纤用ＧｅＣｌ４提供技术参考和支持。研究结果表明，共同蒸馏工艺提纯ＧｅＣｌ４，可以较好地除去ＧｅＣｌ４中的含氢杂质。