铜锌锡硫半导体薄膜材料的制备与表征

采用水热法成功制备了Cu2ZnSnS4(CZTS)半导体材料，通过浸涂法制备了相应的薄膜，并在N2气氛中于400℃对薄膜进行了退火处理。用X射线荧光光谱分析了所得CZTS粉末中各组成元素的含量，并分别用X射线衍射、扫描电子显微镜和紫外-可见-近红外光谱对CZTS薄膜样品的晶体结构、表面形貌和带隙进行了表征。结果表明所得的CZTS粉末的元素组成为Cu1.90Zn0.94Sn1.00S4.30，符合理论化学计量比，所制备的CZTS薄膜具有良好的结晶度，表面均匀、无裂纹，其直接带隙为1.51eV，退火后降低到1.34eV。