化学炉燃烧合成Al4SiC4粉体的绝热燃烧温度计算与实验研究

根据热力学基本原理，采用计算机数值计算，对化学炉燃烧合成的铝碳化硅(Al4SiC4)粉体的绝热燃烧温度进行数值计算。结果表明常温下Al-Si-C体系的绝热燃烧温度仅为1300K；只有当预热温度在930K以上时，才可以实现自蔓延燃烧。Al-Si-C体系的燃烧合成将分步进行，首先生成中间产物Al4C3和SiC，而后由其形成最终产物Al4SiC4。通过体系中添加过量石墨，利用Ti-Si体系化学炉，燃烧合成出粒度均匀且纯度较高的Al4SiC4粉体，根据实验检测并结合绝热燃烧温度计算结果，分析了石墨过量对产物Al4SiC4粉体纯度的影响。