ZrB2-SiCpl复合陶瓷的SPS烧结行为及微观结构

利用放电等离子体烧结(sparkplasmasintering，SPS)技术，在烧结温度、保温时间、压力和加热速率分别为1600℃、5min、30MPa和100℃/min条件下制备硼化锆(ZrB2)-15%(体积分数)碳化硅晶片(SiCpl)复合陶瓷。研究ZrB2-SiCpl复合陶瓷的烧结致密化行为、微观结构和力学性能，以及晶片的定向性对复合陶瓷性能的影响。结果表明SPS降低了ZrB2烧结温度，样品晶粒尺寸变小且均匀，有效抑制了ZrB2晶粒异常长大，SiC晶片的定向排布有利于提高材料的烧结性能和力学性能。