应用于非制冷焦平面器件上的PMN–PT铁电薄膜

利用射频磁控溅射方法生长掺钛铌镁酸铅–钛酸铅(leadmagnesio–niobatetitanate，PMN–PT)薄膜，研究PMN–PT薄膜的热处理技术，并测试制备的PMN–PT薄膜样品的晶向结构及电性能。结果表明PMN–PT薄膜在450℃退火就能完全晶化成钙钛矿结构，其热释电系数达到0.9×10–8C/(cm2?K)，有望解决目前阻碍集成式铁电型非制冷焦平面探测器技术发展的瓶颈问题，即铁电薄膜晶化生长所需的高温与读出电路可承受温度的兼容性问题。