MgSiO3掺杂Ba0.4Sr0.6TiO3陶瓷的介电调谐特性及微波性能

MgSiO3掺杂Ba0.4Sr0.6TiO3陶瓷具有Ba1–xSrxTiO3、(Ba，Sr)2TiSi2O8、Ba4MgTi11O27和Mg2TiO4多相结构。MgSiO3低掺量(质量分数≤10%)陶瓷样品具有条形晶粒和细晶粒组成的微结构；随着MgSiO3掺量增加，陶瓷样品形成晶粒细小、均匀的微结构；当MgSiO3掺量达到20%时，介电损耗峰出现强的频率弥散特性。随着MgSiO3掺量从5%增加到30%，样品的介电常数和介电可调率分别从582降低到42和17.7%降低到4.0%，而微波损耗从8.6×10–3增加到1.0×10–2。Raman光谱证实(Ba，Sr)2TiSi2O8相的存在，并导致材料微波损耗增加；同时约280cm–1处的E(TO2)振动模随着MgSiO3掺量的增加而蓝移，导致材料介电常数降低。