SiC基陶瓷高温相平衡 —SiC–Si3N4–Gd2O3系统

通过热压烧结在1700℃，分别于Ar和N2气氛下制备了一系列SiC–Si3N4–Gd2O3陶瓷样品，采用X射线衍射技术分析了样品的相组成，确定了相关系。结果表明在SiC–Si3N4–Gd2O3的二元子系统和三元系统中，除了二元化合物Si3N4·Gd2O3(M相)存在，尚有含氮稀土硅酸盐化合物Si2N2O?2Gd2O3(J相)和Gd10(SiO4)6N2(H相)生成。而这些化合物的生成主要是由于SiC、Si3N4粉料表面的杂质氧(以SiO2形式存在)参与了反应，由此引入的SiO2这一组分，使原三元系统扩大成为SiC–Si3N4–SiO2–Gd2O3四元系统。通过对产物相组成的分析，确定了在此四元系统中存在8个相容性四面体。基于上述结果，提出了1700℃的SiC–Si3N4–Gd2O3准三元亚固相图、Si3N4–Gd2O3–SiO2三元亚固相图以及SiC–Si3N4–SiO2–Gd2O3四元亚固相图。