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Ce3+在Na2Ca1–xSiO4:xCe3+中的发光特性及晶体学格位
Abstract:
采用高温固相法合成了Na2Ca1–xSiO4xCe3+蓝色发光材料，并对其发光特性进行了研究。测得激发光谱为双峰宽谱，峰值分别位于279nm和360nm，属于Ce3+的4f–5d跃迁，可被紫外–近紫外LED芯片有效激发。样品的发射光谱为不对称单峰宽谱，主峰位于439nm。利用vanUitert公式证明了Ca在Na2CaSiO4中只存在一种晶体学格位，判定经Gauss分峰拟合后的425nm与460nm子发射峰均来自于八配位Ce3+的发射，非对称发射的原因是局部晶体场的不对称和Ce3+能级劈裂。研究了Ce3+掺杂量对Na2Ca1–xSiO4xCe3+材料发光特性的影响。结果显示，随Ce3+掺杂量的增大，发光强度先增大后减小，且发射光谱红移。Ce3+掺杂量为4%(摩尔分数)时，出现浓度猝灭，根据Dexter理论分析猝灭机理为电偶极–电四极相互作用。
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