Bi和Nd共掺CsI晶体近红外宽带发光性能

采用坩埚下降法生长了Bi和Nd共掺的CsI晶体。X射线衍射分析表明，Bi和Nd共掺并不影响晶体结构，其空间群为Pm3m。通过测试晶体的实际掺杂浓度发现，共掺导致了Bi掺杂浓度的降低。对晶体进行退火处理，并测试了晶体的吸收光谱和发射光谱。结果表明Bi和Nd共掺能够提高晶体中带电子色心V′Cs的浓度，经高温退火后能获得较多的低价态的Bi离子发光团簇，从而提高了晶体的近红外宽带发光性能。晶体的Raman光谱显示，掺Bi的CsI晶体近红外宽带发光中心的2个特征Raman峰分别位于164和176cm–1处。此外，还提出CsI晶体中发光中心Bi+和低价态团簇Bi2+的形成离不开高价态Bi离子的靠拢团聚作用。