钨粉表面化学镀铜沉积过程中的开路电位

采用电化学工作站测试了化学镀铜液中钨片及钨粉压片表面开路电位的变化规律，并对化学镀铜钨片及铜包钨复合粉进行了分析.结果表明，刚浸入化学镀铜液时，钨粉开路电位约为-600mV，经微增、速降过程后短时达到稳定电位(约-870mV)，之后再迅速升高，300s时基本达到稳态沉积电位(约-690mV)，此时，铜单膜层包覆基本完成.EDTA×2Na与TART复合络合剂通过调节钨粉表面电荷分布促进铜包覆反应，微量(≤10mg/L)添加剂2,2￠-联吡啶能有效抑制镀层中Cu2O生成，改善镀层质量.