基于有效介电函数的SOI材料的光学表征

通过参考有关文献关于卢瑟福背向散射能谱（rutherfordbackscatteringspectrometry,RBS）、透射电镜（transmissionelectronmicroscope,TEM）、俄歇电子能谱（augerelectronspectroscopy,AES）、红外反射谱法（infraredreflection,IR）等手段对绝缘衬底上硅（silicon-on-insulator,SOI）微结构的分析研究，提出并建立了一种基于SOI有效介质近似理论的多层薄膜结构模型。基于该模型，利用总反射系数对红外光谱进行模拟能很好地揭示此材料的光学表征，验证了红外反射光谱法作为一种高灵敏度的分析技术，无论是受SOI材料中所注硅岛的体积分数比，或是其几何分布等的影响，都能准确地反馈材料的光学表征信息。