980 nm应变量子阱激光器外延层工艺参数的优化设计

对980nm应变量子阱激光器的外延层工艺参数进行优化设计。通过理论计算和软件模拟相结合的方法，优化了量子阱的结构，研究了波导层、包层中的Al组分对量子阱激光器效率的影响。根据优化结果，采用金属有机化合物化学气相淀积（metalorganicchemicalvapordeposition,MOCVD）技术外延生长了激光器的材料，并进行测试。测试结果表明，在室温下，当工作电流为1A时，阈值电流为150mA，斜率效率为0.48W/A（采用150μm×500μm，未镀膜器件），输出功率为400mW。