有机硅等离子体聚合物复合膜的制备及氧氮选择透过性能

四种有机硅单体,即乙烯基三甲基硅烷(VTMS)、乙烯基甲基二乙基硅烷(VMDES)、八甲基环四硅氧烷(D4)和六甲基二硅氧烷(M2),在13.56MHz钟罩式等离子体发生器中,分别进行等离子体聚合,聚合物沉积在多孔聚丙烯底膜celgard3401表面。在放电功率50W,体系压力12—30Pa,反应时间15—60min时,形成具有氧氮选择透过功能的有机硅等离子体聚合物复含膜。其氧气透过速率Jo2是12.7—5.7×10-6Cm3(STP)/cm2·scmHg,氧氮分离系数αO/N是3.78—4.07。等离子体聚合物层的厚度约0.1—0.2μm。根据它们的扫描电镜照片、红外光谱和元素分析数据,讨论了具有气体选择透过性能的等离子体聚合物复合膜的形反过程;底膜性质对复合膜性能的影响;等离子休聚合物层的化学结构和组成,以及它们同复杂等离子体聚合反应历程之间的关系