BiVO4的光催化活性及其正电子湮没谱

以2,4-二硝基苯酚光催化降解为探针反应，考察了BiVO4的光催化降解活性。利用正电子湮没谱分析了焙烧温度对BiVO4光催化活性的影响。结果表明，焙烧温度能引起特定的缺陷数目变化，改变了光催化剂的微观结构。经900℃焙烧的BiVO4催化剂比在其它温度下焙烧的催化剂有较多的表面缺陷数目，可产生表面光生电子-空穴的数目较多，不均匀性、缺陷位的电子密度大，使得其光催化氧化活性增强，即2,4-二硝基苯酚的降解率较高。