修饰Langmuir-Blodget膜法制备聚(3，4-亚乙基二氧噻吩)薄膜结构和导电性能的研究

采用修饰Langmuir-Blodget(LB)膜法以二十烷酸（AA）LB膜为模板，通过3,4-亚乙基二氧噻吩（EDOT）单体在LB膜亲水基团间聚合，制备了二十烷酸/聚（3，4-亚乙基二氧噻吩）（AA/PEDOT）复合LB膜.UV-Vis、FTIR和XPS分析表明EDOT在多层膜中有效聚合，生成了PEDOT导电聚合物；X射线衍射（XRD）和二次离子质谱（SIMS）分析表明薄膜具有较好的层状有序结构，进一步研究发现EDOT在AA多层膜中的聚合破坏了原有LB膜的有序性，这可能与聚合过程对层状结构产生的破坏作用有关；采用四探针仪及半导体测试仪研究了薄膜导电性能，发现AA/PEDOT多层膜的电导率随处理时间的变化产生突变，这与多层膜中导电通道的“逾渗”有关，在有效导电网络连通后电导率发生了突变.测试结果还表明AA层和PEDOT层之间具有较为明显的界面，PEDOT显示出较好的定域性，薄膜具有很好的层状有序结构.