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化学学报 1993
长链香豆素LB膜对n-Si/Ni液结上的光致电荷转移的影响, PP. 743-747 Keywords: 硅,镍,香豆素,P,电沉积,化学修饰电极,硬脂酸,P,电荷转移,半导体电极,Ｌ-Ｂ膜,电化学性质 Abstract: 本文研究了由硬脂酸香豆素制得的LB膜对n-Si/Ni电极性能的修饰作用.该LB膜沉积方式是Z型的,成膜之后吸收蓝移(由343nm移至325nm).在60mW·cm^-2溴钨灯光照下,n-Si/Ni/3LB/Fe(CN)/Pt电池的光电转换效率增大了一倍,稳定性亦有明显改善.交流阻抗测量表明,光照使n-Si/Ni/3LB电极的电解电阻大大减小,实验结果表明,硬脂酸香豆素LB膜对n-Si/Ni电极上的光致电荷传递过程的修饰作用是良好的.
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