溶出伏安法中玻碳镀汞电极表面的汞膜状态

本文对不同条件下形成的汞D$的形成过程丶汞膜形态与其形成条件的关系以及对溶出峰的影响.结果表明玻碳表面的汞膜是由视直径小于10μm,的微汞滴构成,其分布密度随镀汞电位的负值增加而增加;微汞滴在电析过程中不断长大并相聚成更大一些的微汞滴,在旋转玻碳电极上,汞膜的最大平均厚度大会超过5μm,而适用于溶溶出分析的范围为0.05~1μm,比文献记载的范围(0.001~10-5M时虽经长时间镀汞用的Hg2+浓度的适用范围为1X10-5~2x10-4m;Hg2+浓度为2X10-ⅴM时虽经长时间镀汞亦不易产生较大的微汞滴.实验还表明峰高的重现性与电极表面载汞量有关.还观察到较大的微汞滴在电极表面滑动以致被甩离电极表面的现象,严重时会引起峰的下降.