微电极研究VIII.微盘电极上伏安曲线的滞留效应

本文用循环伏安法研究了微盘电极的边缘效应及比电容,提出了滞留效应的概念,用以描述微盘电极(实际)伏安曲线与理想的典型的"S"型稳态伏安曲线的偏离程度。并用它解释了循环伏安曲线出现滞后环(正反扫描的曲线分离)的原因。导出了微盘电极表面反应区内产物与反应物的浓度及滞留比的计算公式。滞留比与v^1/2成正比,计算结果满意地解释了实验现象。