MTDTPY.TCNQ及MTDTPY.CHL电荷转移复合物晶体的电子能带结构及其与导电性能关系的研究

用紧束缚近似的EHMO方法对αMTDTPY.TCNQ(1)、β-MTDTPY.TCNQ(2)及MTDTPY.CHL(3)三种电荷转移复合物晶体的电子能带进行了计算。在1中,电子施体(D)分子MTDTPY及受体(A)分子TCNQ形成交替重叠的一维分子柱(M),柱间无净电荷转移。能隙E~G=0.15eV,载流子的产生主要来自热激发。在2及3中,电子施体(D)MTDTPY及受体(A)TCNQ及CHL分子分别相对独立的D及A一维分子柱,载流子的产生主要来自柱间的电荷转移。由电子能带结构及关于载流子迁移的Frohlich-Sewell公式,得出上述三种晶体的室温电导率之比为σ1σ2σ3=3.75×10^-^1^011.15,与实验事实基本一致。关于各分子柱对σ的贡献,2中D柱A柱～10^31;3中D柱A柱～21。根据计算结果,本文还对载流子的迁移机理进行了讨论。